- 產品描述
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- 商品名稱: IGBT 中頻電源
IGBT是電力晶體管(GTR)和電力效應晶體管(MOSFET)的復合體,它綜合了GTR和SFT的優點,因而具有良好的特性
技術特點
1、IGBT是電力晶體管(GTR)和電力效應晶體管(MOSFET)的復合體,它綜合了GTR和SFT的優點,因而具有良好的特性。
2,IGBT中頻電源采用電容與感應圈串聯形式連接電路,因采用調頻調功,整流橋處于不控狀態,功率因數高達0.96以上;工作過程中諧波小。
3、IGBT晶體管控制特點與可控硅相比不但可以控制導通,還可以任意自主控制關斷,不像可控硅被動關斷且需要時間,使逆變功率因數也更高(297%),同等的進線電壓(380V)爐體電壓更高,IGBT逆變電壓在2800V左右,傳統可控硅的逆變電壓僅為750 最大 800v,電壓高了近四倍,線路損耗小,可節能15%。
4、恒功率輸出。IGBT中頻電源調頻調功相對于傳統可控硅中頻電源調壓調功,它不受爐料多少,爐襯壁薄厚的影響,在整個熔煉過程中接近恒功率輸出。傳統可控硅中頻電源加熱過程中受磁感量變化大的影響起初熔煉功率小,影響熔煉速度,可控硅電源的功率是隨著熔煉時間及磁感量變化而變化的,由小功率慢慢提高到大功率運行的過程,降低了變壓器的容量利用率提高了生產成本,在這一點上能節能 3%6-5%左右。
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