串聯一拖多熔煉系統

IGBT是電力晶體管（GTR）和電力效應晶體管（MOSFET）的復合體，它綜合了GTR和SFT的優點，因而具有良好的特性

技術特點

1、IGBT是電力晶體管（GTR）和電力效應晶體管（MOSFET）的復合體，它綜合了GTR和SFT的優點，因而具有良好的特性。
2、IGBT中頻電源采用電容與感應圈串聯形式連接電路，因采用調頻調功，整流橋處于不控狀態，功率因數高達0.96以上；工作過程中諧波小。
3、IGBT晶體管控制特點與可控硅相比不但可以控制導通，還可以任意自主控制關斷，不像可控硅被動關斷且需要時間，使逆變功率因數也更高（297%），同等的進線電壓（380V）爐體電壓更高，IGBT逆變電壓在2800V左右，傳統可控硅的逆變電壓僅為750 最大 800v，電壓高了近四倍，線路損耗小，可節能15%。
4、恒功率輸出。IGBT中頻電源調頻調功相對于傳統可控硅中頻電源調壓調功，它不受爐料多少，爐襯壁薄厚的影響，在整個熔煉過程中接近恒功率輸出。傳統可控硅中頻電源加熱過程中受磁感量變化大的影響起初熔煉功率小，影響熔煉速度，可控硅電源的功率是隨著熔煉時間及磁感量變化而變化的，由小功率慢慢提高到大功率運行的過程，降低了變壓器的容量利用率提高了生產成本，在這一點上能節能 3%6-5%左右。

產品優勢

效率高
審聯逆變器采用半橋電路，主電路元器件數量相對減少，且有很高的功率因數，故有較高功率。
良好的自動特性，在滿載，重載狀態下，都能隨意起動，起動成功率達100%，提高功率因素，確保在任意功率下功率因數達 95%，恒功率輸出，功率輸出采用恒定控制，在熔煉過程中，負載和溫度變化時，其負載始終滿功率輸出，從而縮短熔煉時間。
具有完善的保護與運行狀況監控系統
如：用傳感器對進線電流、電壓、漕路電流、電壓取信號，給雙閉環數字電路進行限流、限壓、過量過壓重復保護，有水溫水壓保護等等。KK 可控硅、KP 可控硅都具有自關斷時間保護。
有完整的檢測系統
對逆變器，濾波電容器工作溫度采用溫度開關表進行監控，一旦冷卻水溫度超過設定值或出現水路故障發出報警并切斷電源。對電源冷卻水輸入有水壓繼電氣控制，冷卻水輸出有溫度開關表監控欠壓，超溫會發出報警并切斷電源。